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厂商型号

2N5461_D26Z 

产品描述

JFET P-Channel Transistor General Purpose

内部编号

3-2N5461-D26Z

#1

数量:0
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2N5461_D26Z产品详细规格

规格书 2N5461_D26Z datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 2mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) -
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 P-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 40V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 1V @ 1µA
输入电容(Ciss)@ Vds的 7pF @ 15V
电阻 - RDS(ON) -
安装类型 Through Hole
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大 350mW
供应商封装形式 TO-92
最大门源电压 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
最大功率耗散 350
最大漏极栅极电压 -40
最低工作温度 -55
配置 Single
引脚数 3
铅形状 Formed
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 40V
安装类型 Through Hole
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 2mA @ 15V
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 切断(VGS关)@ Id 1V @ 1µA
FET型 P-Channel
功率 - 最大 350mW
标准包装 2,000
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
输入电容(Ciss ) @ VDS 7pF @ 15V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
产品种类 JFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 40 V
正向跨导 - 闵 0.0015 S to 0.005 S
安装风格 Through Hole
功率耗散 350 mW
漏源电流在Vgs = 0 - 2 mA to - 9 mA
RoHS RoHS Compliant

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